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標簽：IBM，芯片，
IBM及其合作伙伴已開發出新的5nm測試芯片，其具有新的制造工藝的優點。包含約300億個晶體管的新芯片是通過堆疊硅納米片來創建的。它能夠在設備上提供幾乎兩倍的電池存儲，并顯著提高性能。
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IBM與研發聯盟的合作伙伴一起開發了一種新的5nm芯片，與目前市場上可用的10nm芯片相比，在相同的功率下將性能提高了40%。
這一次，IBM并沒有去用FinFET(鰭場效應)制造，而是堆疊硅納米片作為晶體管的器件結構，被稱為GAA(全包圍柵極)晶體管。在5nm指甲尺寸的測試芯片裝了300億個晶體管。
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他們使用的方法稱為極紫外光刻(EUV)。兩年前，他們使用相同的方法創建了一個具有200億個晶體管的7nm測試節點。
除了設備尺寸縮小之外，這些仍然遠未被商業化的芯片可以幫助我們為IoT設備實現更美好的未來，加速認知計算，增強基于云的應用，并且可能是移動設備電池輸出的兩倍。
根據IBM的說法，他們最新的進展，為具有高于基于FinFET性能的堆疊納米芯片裝置打開了方便之門，已經成功地證明了這種設備的可行性。
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IBM指出，“使用EUV光刻技術，可以在單個制造處理器芯片設計中連續調整納米片的寬度。這種可調性允許對特定電路的性能和功耗進行微調，這在今天的FinFET晶體管架構生產中是不可能的，這受到其載流鰭片高度的限制。”
IBM認為目前的FinFET技術對于創建5nm芯片而言效率低下。
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